SK海力士1ynm DRAM明年开始供货,恐加速DRAM价格下滑

2018/11/12 17:41:29      点击:

SK海力士发布8Gb DDR4 DRAM,采用第二代10nm(1ynm)级工艺,与第一代产品(1xnm)相比,第二代生产率提高约20%,功耗降低15%以上,数据传输速率可稳定在3200Mbps,这是目前DDR4标准支持的最大速度。

SK海力士8Gb DDR4 DRAM预计将在2019年Q1开始市场供货,计划优先供应PC和服务器市场,后续将逐步扩展至移动设备和其他应用。

SK海力士8Gb DDR4 DRAM采用4Phase Clocking设计技术,可使时钟信号加倍,以提高数据传输速度和稳定性。

SK海力士还推出了自己的Sense AMP控制技术,以减少功耗和数据错误。凭借这项技术成功地提高了读出放大器的性能。SK海力士改进了晶体管结构,降低了数据错误的可能性。同时还在电路中增加了一个低功耗电源,以防止不必要的功耗。

其他竞争对手,三星电子在2017年率先宣布量产第二代10nm(1ynm) DRAM,传正在进行第三代10nm(1znm)制程开发。美光2018年初开始量产1xnm制程DRAM,也将在2018年底导入1ynm制程量产,2019年正式量产1ynm制程DRAM,2020年计划进入1znm制程。

SK海力士和美光不断加速先进制程研发速度,目前DRAM市场价格已有明显松动,再加上Q4市场需求减缓,DRAM跌价趋势将更加明显。

虽然三星延缓平泽厂DRAM扩产计划稳定市场价格,但到2019年,除了三星,SK海力士、美光也都将扩大1ynm DRAM量产,而DRAM产能增加,成本下滑,将加快DRAM价格下滑的速度。

值得注意的是,DRAM工艺从20nm进入1xnm制程已相当不容易,接下来的10nm级1ynm及1znm制程就更为困难,如何在顺利转换至更先进制程的同时确保量产效率成为关键。